Melting Temperature and Wetting Angle of AlN/Dy2O3 and AlN/Yb2O3 Mixtures on SiC Substrates

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Wetting phenomena of binary liquid mixtures on chemically altered substrates.

We report measurements of the state of wetting of two liquid mixtures at coexistence near their respective critical consolute temperatures. Borosilicate glass capillary tubes were reacted with hexamethyldisilazane to produce substrates of uniform and controlled silylation. Surfaces of low coverage exhibit a series of first-order partial to complete wetting transitions and obey a short-range for...

متن کامل

effect of seed priming and irrigation regimes on yield,yield components and quality of safflowers cultivars

این مطالعه در سال 1386-87 در آزمایشگاه و مزرعه پژوهشی دانشگاه صنعتی اصفهان به منظور تعیین مناسب ترین تیمار بذری و ارزیابی اثر پرایمینگ بر روی سه رقم گلرنگ تحت سه رژیم آبیاری انجام گرفت. برخی از مطالعات اثرات سودمند پرایمینگ بذر را بر روی گیاهان مختلف بررسی کرده اند اما در حال حاضر اطلاعات کمی در مورد خصوصیات مربوط به جوانه زنی، مراحل نموی، عملکرد و خصوصیات کمی و کیفی بذور تیمار شده ژنوتیپ های م...

Wetting of Substrates with Phase-Separated Binary Polymer Mixtures

We investigate a wetting reversal transition in thin films of two-phase mixtures of poly(ethylenepropylene) (PEP) and its deuterated analog (dPEP) on substrates covered by self-assembled monolayers (SAM) whose surface energy, gSAM, is tuned by varying the SAM composition. As gSAM increases from 21 to 24 mJ m2, a transition from a dPEP PEP dPEP SAM to a dPEP PEP SAM structure occurs at increasin...

متن کامل

3C-SiC Heteroepitaxy on Hexagonal SiC Substrates

The growth of 3C-SiC on hexagonal polytype is addressed and a brief review is given for various growth techniques. The Chemical Vapor Deposition is shown as a suitable technique to grow single domain 3C epilayers on 4H-SiC substrate and a 12.5 μm thick layer is demonstrated; even thicker layers have been obtained. Various characterization techniques including optical microscopy, X-ray technique...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Materials Research

سال: 2015

ISSN: 1516-1439

DOI: 10.1590/1516-1439.008015